isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 7.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.9Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

文件：333.15 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件：131.32 Kbytes 页数：4 Pages

IXYS

艾赛斯

Power MOSFET

文件：343.43 Kbytes 页数：7 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特