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IXDD604SIATR

4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

文件:1.60046 Mbytes 页数:13 Pages

CLARE

Clare, Inc.

IXDD604SIATR

4A Peak Source/Sink Drive Current

文件:320.5 Kbytes 页数:13 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDD604SIATR

AEC Q100 Qualified

文件:273.46 Kbytes 页数:12 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDD604SIATR

4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

The IXDD6041XDF604/IXDI604/IXDN604 dual high-speed gate drivers are especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs. Each of the two outputs can source and sink 4A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 10ns. The input of each driver is virtuall • 4A Peak Source/Sink Drive Current\r\n• Wide Operating Voltage Range: 4.5V to 35V\r\n• -40°C to +125°C Extended Operating Temperature Range\r\n• Logic Input Withstands Negative Swing of up to 5V\r\n• Outputs May be Connected in Parallel for Higher Drive Current\r\n• Matched Rise and Fall Times\r\n•;

Littelfuse

力特

IXDD604SIATR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXDD604SIATR

  • 制造商:

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4A,4A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    9ns,8ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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