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IXDR30N120D1	文件：69.09 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUS™ package (Electrically Isolated Back Side) Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Features • NPT IGBT technology - high switching speed - low switching losses - square RBSOA, no latch up - high short circuit capability - 文件：69.09 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDR30N120D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDT30N120D1	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode 文件：89.51 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDT30N120D1	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode Short Circuit SOA Capability Square RBSOA VCES = 1200 V IC25 = 60 A VCE(sat) typ = 2.4 V Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● M 文件：94.32 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXDR30N120D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，30A
开关能量：
4.6mJ（开），3.4mJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
600V，30A，47 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
ISOPLUS247™
描述：
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

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