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深圳市纳艾斯科技有限公司

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IXDD609D2TR

IXYSQFN

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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IXDD609D2TR

IXYSna

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IXDD609D2TR

IXYS Integrated Circuits Divis8DFNEP (5x4)

9000

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浙江永芯科技有限公司

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IXDD609D2TR

IXYS/LittelfuseDFN-8-EP

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IXDD609D2TR

IXYS-艾赛斯DFN-8.贴片

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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IXDD609D2TR

IXYS Integrated Circuits Divis8-DFN-EP(5x4)

65200

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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IXDD609D2TR

IXYSDFN-8-EP(5x4)

315000

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万三科技(深圳)有限公司

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IXDD609D2TR

IXYS(艾赛斯)封装

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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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IXYSQFN

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惠芯易购（深圳）科技有限公司

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IXDD609D2TR

IXYS8-DFN-EP5x4

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原装正品 价格优势

讯运(深圳/上海)电子有限公司

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IXDD609D2TR

IXYSDFN-8-EP(5x4)

499

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IXDD609D2TR

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IXDD609D2TR

IXYSDFN-8

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IXDD609D2TR价格

IXDD609D2TR价格：￥4.7943品牌：IXYS Integrated Circuits

生产厂家品牌为IXYS Integrated Circuits的IXDD609D2TR多少钱，想知道IXDD609D2TR价格是多少？参考价：￥4.7943。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXDD609D2TR批发价格及采购报价，IXDD609D2TR销售排行榜及行情走势，IXDD609D2TR报价。

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IXDD609D2TR功能描述:MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    IXDD609D2TR

  • 制造商：

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 类别：

    集成电路（IC） > 栅极驱动器

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置：

    低端

  • 通道类型：

    单路

  • 栅极类型：

    IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电：

    4.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL，VIH：

    0.8V，3V

  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：

    9A，9A

  • 输入类型：

    非反相

  • 上升/下降时间（典型值）：

    22ns，15ns

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    8-VDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装：

    8-DFN-EP（5x4）

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

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