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IXYS(艾赛斯)SOIC-8-EP

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深圳市富达微科技有限公司

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IXDN604SIATR

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IXYS原厂封装

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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IXDN604SITR

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Littelfuse原厂封装

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深圳市胜彬电子有限公司

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IXDN604SIATR

IXYSSOP8

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深圳市宇创芯科技有限公司

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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

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IXDN604SIA

SOP8IXYS

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IXYS(艾赛斯)SOIC-8-EP

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深圳市恒凯威科技开发有限公司

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IXDN604SIA

IXYS/艾赛斯IXYS

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深圳市联世界科技有限公司

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IXDN604SI其他IC

IXYS/艾赛斯SOP-8

4000

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正规报关原装现货系列终端客户可以技术支持

深圳市威尔健半导体有限公司

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IXDN604SI

IXYS/艾赛斯SOP8

800

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深圳诚思涵科技有限公司

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IXDN604SI

IXYSSOP8

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深圳市威雅利发展有限公司

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IXDN604SI

IXYSSOP-8

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深圳市安罗世纪电子有限公司

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IXDN604SI

IXYS Integrated Circuits Divis8-SOIC

4704

2023+

安罗世纪电子只做原装正品货

深圳市亿顺芯科技有限公司

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IXDN604SI

IXYS/艾赛斯SOP-8

6000

25+

原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十

京海半导体(深圳)有限公司

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IXDN604SI

IXYS/艾赛斯SOP8

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深圳市盈慧通电子有限公司

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IXDN604SI

IXYSSOP8

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深圳市宇集芯电子有限公司

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IXDN604SI

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IXDN604SIA价格

IXDN604SIA价格：￥5.0644品牌：IXYS

生产厂家品牌为IXYS的IXDN604SIA多少钱，想知道IXDN604SIA价格是多少？参考价：￥5.0644。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXDN604SIA批发价格及采购报价，IXDN604SIA销售排行榜及行情走势，IXDN604SIA报价。

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IXDN604SIA大量现货，特价热卖

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IXDN604SI功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IXDN604SIA功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IXDN604SIATR功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IXDN604SITR功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    IXDN604SI

  • 制造商：

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 类别：

    集成电路（IC） > 栅极驱动器

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置：

    低端

  • 通道类型：

    独立式

  • 栅极类型：

    IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电：

    4.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL，VIH：

    0.8V，3V

  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：

    4A，4A

  • 输入类型：

    非反相

  • 上升/下降时间（典型值）：

    9ns，8ns

  • 工作温度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘

  • 供应商器件封装：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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