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IXDN75N120

High Voltage IGBT

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input, voltage controlled ● International sta

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IXYS

艾赛斯

IXDN75N120

High Voltage IGBT

DESCRIPTION ·Space savings ·High Power Density ·Low Switching Losses APPLICATIONS ·DC servo and robot drives ·DC choppers ·UPS ·AC motor speed control

文件:562.11 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXDN75N120

High Voltage IGBT

文件:73.29 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN75N120

NPT 标准 IGBT

• NPT IGBT技术\n• 低饱和电压\n• 低开关损耗\n• 方形RBSOA,无闩锁\n• 卓越防短路性能\n• 正温度系数,适合并联\n• MOS输入,电压控制\n• 选配超快二极管\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

IXDN75N120

Package:SOT-227-4,miniBLOC;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXDN75N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,75A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商器件封装:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B

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更多IXDN75N120供应商 更新时间2026-4-21 14:21:00