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IXFA14N60P3	文件：333.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.54Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：333.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFA14N60P3	文件：282.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier 文件：282.67 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFA14N60P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFH14N60P3	文件：282.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier 文件：282.67 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH14N60P3	文件：372.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.54Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：372.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFP14N60P3	文件：282.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier 文件：282.67 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.54
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
14
Gate Charge (nC)：
25
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.38
Configuration：
Single
Package Type：
TO-263
Power Dissipation (W)：
327
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳和润天下电子科技有限公司	IXFA14N60P3	IXYS/艾赛斯	23+	TO-263	59580	原装正品华强现货	询价
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更多IXFA14N60P3供应商更新时间2025-12-10 8:31:00

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