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IXDR35N60BD1

IXYS(艾赛斯)N/A

7500

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深圳市宸远科技有限公司

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IXYS/艾赛斯TO-247

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IXDR35N60BD1

IXYS-艾赛斯TO-247-3

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IXDR35N60BD1

IXYSTO-247-3

9350

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IXYS/艾赛斯NA

19

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IXYS/艾赛斯22+

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IXDR35N60BD1价格：￥31.7983品牌：Ixys

生产厂家品牌为Ixys的IXDR35N60BD1多少钱，想知道IXDR35N60BD1价格是多少？参考价：￥31.7983。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXDR35N60BD1批发价格及采购报价，IXDR35N60BD1销售排行榜及行情走势，IXDR35N60BD1报价。

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IXDR35N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    IXDR35N60BD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装：

    卷带（TR）

  • IGBT 类型：

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，35A

  • 开关能量：

    1.6mJ（开），800µJ（关）

  • 输入类型：

    标准

  • 测试条件：

    300V，35A，10 欧姆，15V

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-247-3

  • 供应商器件封装：

    ISOPLUS247™

  • 描述：

    IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247

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