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IXFA10N60P	文件：332.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFA10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET Polar3™HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •S	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFA10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFA10N60P_V01	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFA10N60P-TRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
10N60	文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages	10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
10N60	文件：232.49 Kbytes Page：9 Pages	10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
10N60	文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N60	文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N60	文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	文件：964.56 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	文件：964.93 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	文件：963.95 Kbytes Page：11 Pages	10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
10N60	文件：688.22 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
10N60	文件：192.91 Kbytes Page：2 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
10N60	文件：820.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
10N60	文件：2.24614 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司
10N60	文件：293.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
10N60	文件：2.72841 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司
10N60	文件：398.47 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

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详细参数

型号：
IXFA10N60P
功能描述：
MOSFET 600V 10A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXFA10N60P供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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