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IRF4410	文件：699.77 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
IRFB4410	文件：338.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KD4410	文件：1.00507 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LTC4410	文件：214.06 Kbytes Page：12 Pages	36V,LowLossDualPowerPathControllersforLargePFETs	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC4410	文件：135.07 Kbytes Page：8 Pages	USBPowerManagerinThinSOT	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC4410	文件：125.23 Kbytes Page：8 Pages	USBPowerManagerinThinSOT	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
M4410	文件：251.16 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®-TiteLiquidTightCordgrips	Heyco Heyco	Heyco
M-4410	文件：350.17 Kbytes Page：6 Pages	RemoteI/Omodules	moxa 台湾摩莎	moxa
MAN4410A	文件：624.36 Kbytes Page：7 Pages	0.400-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Brightek (QTB)	QT
MAX4410	文件：865.49 Kbytes Page：20 Pages	80mW,DirectDriveStereoHeadphoneDriverwithShutdown GeneralDescription TheMAX4410stereoheadphonedriverisdesignedforportableequipmentwhereboardspaceisatapremium.TheMAX4410usesaunique,patented,DirectDrivearchitecturetoproduceaground-referencedoutputfromasinglesupply,eliminatingtheneedforlargeDC-blockingcapaci	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX4410	文件：122.43 Kbytes Page：4 Pages	NoDC-BlockingCapacitorsRequired	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX4410EUD	文件：865.49 Kbytes Page：20 Pages	80mW,DirectDriveStereoHeadphoneDriverwithShutdown GeneralDescription TheMAX4410stereoheadphonedriverisdesignedforportableequipmentwhereboardspaceisatapremium.TheMAX4410usesaunique,patented,DirectDrivearchitecturetoproduceaground-referencedoutputfromasinglesupply,eliminatingtheneedforlargeDC-blockingcapaci	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX4410EVKIT	文件：122.43 Kbytes Page：4 Pages	NoDC-BlockingCapacitorsRequired	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MCQ4410	文件：652.51 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
ME4410	文件：380.39 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ME4410	文件：1.0865 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME4410A	文件：1.00475 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME4410A	文件：672.87 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ME4410AD	文件：1.08646 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME4410B	文件：1.00444 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
IXBD4410SI
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
ISOSMART™
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，3.65V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC

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