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PJQ4410P	文件：442.5 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@10A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PSM4410	文件：308.49 Kbytes Page：13 Pages	RFandMicrowavePowerSensors/Meters	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PT4410	文件：261.69 Kbytes Page：11 Pages	ProgrammableOutputVoltage	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT4410	文件：1.56053 Mbytes Page：3 Pages	30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
PT4410	文件：243.89 Kbytes Page：10 Pages	100-Watt48-VInputIsolatedDC/DCConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
RK4410	文件：40.83 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,10A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RK4410	文件：1.00649 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RK4410TB	文件：1.0065 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RSB-4410	文件：634.87 Kbytes Page：2 Pages	FreescaleARMCortex-A9i.MX6SBC	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
RSB-4410	文件：3.20634 Mbytes Page：4 Pages	NXPARM짰Cortex짰-A9i.MX63.5	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
SDM4410	文件：1.38593 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SDM4410	文件：1.00655 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDM4410	文件：386.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage.	Samhop 三合微科	Samhop
SDM4410	文件：458.96 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features: *SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON) RDS(ON)	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
SDR4410	文件：423.16 Kbytes Page：2 Pages	10AMPS50-300VOLTS40nsecHYPERFASTRECTIFIER	SSDI SSDI	SSDI
SEC4410	文件：2.8439 Mbytes Page：283 Pages	HSEndpointProcessorwithUSB2.0,SmartCard,andFMCforSecureTokenandStorage	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
SEL4410E	文件：26.28 Kbytes Page：1 Pages	4phiRoundStandardLED 4øround-typestandardLEDs	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
SEL4410E	文件：435.64 Kbytes Page：2 Pages	4phiRoundStandardLEDs	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
SEL4410G	文件：26.28 Kbytes Page：1 Pages	4phiRoundStandardLED 4øround-typestandardLEDs	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
SEL4410G	文件：435.64 Kbytes Page：2 Pages	4phiRoundStandardLEDs	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken

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产品属性

产品编号：
IXBD4410SI
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
系列：
ISOSMART™
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，3.65V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC

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