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IXBH40N160	文件：61.73 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistor N-Channel, Enhancement Mode Features • International standard package JEDEC TO-247 AD • High Voltage BIMOSFETTM - replaces high voltage Darlingtons and series connected MOSFETs - lower effective RDS(on) • Monolithic constructi 文件：61.73 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBH40N160	文件：300 bytes Page：1 Pages	BiMOSFET™ 高电压 • 高阻断电压\n• 高功率密度\n• 高电流处理能力\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXBH40N160	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1600V 33A 350W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS
CSD40N160	文件：762.5 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：762.5 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
IXBF40N160	文件：99.08 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage BIMOSFET High Voltage BIMOSFET™ in High Voltage ISOPLUS i4-PAC™ Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • High Voltage BIMOSFETTM - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop - fast switching for high frequency operation - reverse conduction capability • 文件：99.08 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBH40N160
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
7.1V @ 15V，20A
输入类型：
标准
测试条件：
960V，20A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

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