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IXBF40N160分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBF40N160
厂商型号

IXBF40N160

参数属性

IXBF40N160 封装/外壳为i4-Pac™-5(3 引线);包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1600V 28A 250W I4PAC

功能描述

High Voltage BIMOSFET
IGBT 1600V 28A 250W I4PAC

文件大小

99.08 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-23 16:16:00

IXBF40N160规格书详情

High Voltage BIMOSFET™ in High Voltage ISOPLUS i4-PAC™

Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features

• High Voltage BIMOSFETTM

- substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop

- fast switching for high frequency operation

- reverse conduction capability

• ISOPLUS i4-PACTM high voltage package

- isolated back surface

- enlarged creepage towards heatsink

- enlarged creepage between high voltage pins

- application friendly pinout

- high reliability

- industry standard outline

Applications

• switched mode power supplies

• DC-DC converters

• resonant converters

• lamp ballasts

• laser generators, x ray generators

IXBF40N160属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXBF40N160晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXBF40N160

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    托盘

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    7.1V @ 15V,20A

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    960V,25A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5(3 引线)

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT 1600V 28A 250W I4PAC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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