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IXBF12N300分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBF12N300
厂商型号

IXBF12N300

参数属性

IXBF12N300 封装/外壳为i4-Pac™-5(3 引线);包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4

文件大小

207.3 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-25 11:06:00

IXBF12N300规格书详情

IXBF12N300属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXBF12N300晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXBF12N300

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    托盘

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,12A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5(3 引线)

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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