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IXBH40N160分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBH40N160
厂商型号

IXBH40N160

参数属性

IXBH40N160 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

功能描述

High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

61.73 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

IXYS

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:31:00

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IXBH40N160规格书详情

IXBH40N160属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXBH40N160晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

High Voltage BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistor

N-Channel, Enhancement Mode

特性 Features

• International standard package JEDEC TO-247 AD

• High Voltage BIMOSFETTM

- replaces high voltage Darlingtons and series connected MOSFETs

- lower effective RDS(on)

• Monolithic construction

- high blocking voltage capability

- very fast turn-off characteristics

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

• Intrinsic diode

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• CRT deflection

• Lamp ballasts

Advantages

• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)

• Space savings

• High power density

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXBH40N160

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    7.1V @ 15V,20A

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    960V,20A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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TO247AD (IXBH)
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