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IXBH28N170A分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
IXBH28N170A |
参数属性 | IXBH28N170A 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1700V 30A 300W TO247AD |
功能描述 | High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
75.08 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | IXYS Corporation |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Corporation官网 |
原厂标识 | IXYS |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 10:55:00 |
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IXBH28N170A规格书详情
IXBH28N170A属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXBH28N170A晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
特性 Features
• High Blocking Voltage
• JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD
• Low conduction losses
• High current handling capability
• MOS Gate turn-on - drive simplicity
• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification
Applications
• AC motor speed control
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• Capacitor discharge circuits
Advantages
• High power density
• Suitable for surface mounting
• Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)
产品属性
更多- 产品编号:
IXBH28N170A
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
BIMOSFET™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
6V @ 15V,14A
- 开关能量:
1.2mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
35ns/265ns
- 测试条件:
850V,14A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1700V 30A 300W TO247AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
两年内 |
NA |
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