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IXBH28N170A分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBH28N170A
厂商型号

IXBH28N170A

参数属性

IXBH28N170A 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1700V 30A 300W TO247AD

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 1700V 30A 300W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

75.08 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 10:55:00

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IXBH28N170A规格书详情

IXBH28N170A属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXBH28N170A晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

• High Blocking Voltage

• JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD

• Low conduction losses

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on - drive simplicity

• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications

• AC motor speed control

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• Capacitor discharge circuits

Advantages

• High power density

• Suitable for surface mounting

• Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXBH28N170A

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    6V @ 15V,14A

  • 开关能量:

    1.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    35ns/265ns

  • 测试条件:

    850V,14A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1700V 30A 300W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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