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IXBH32N300	文件：179.66 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBH32N300	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3000V 80A 400W TO247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBH32N300HV	文件：309.97 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features •HighBlockingVoltage •HighVoltagePackages •LowConductionLosses Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications: •Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies •UninterruptiblePowerSupplies(UPS) •LaserGenerators •CapacitorDischargeCi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBH32N300HV	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBF32N300	文件：201.83 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •3000VElectricalIsolation •HighBlockingVoltage •InternationalStandardPackage •LowConductionLosses Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications: •Switched-M	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBT32N300HV	文件：309.97 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor Features •HighBlockingVoltage •HighVoltagePackages •LowConductionLosses Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications: •Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies •UninterruptiblePowerSupplies(UPS) •LaserGenerators •CapacitorDischargeCi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBH32N300
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，32A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 3000V 80A 400W TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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