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IXBF10N300C

High Voltage, High Frequency, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXBF10N300C

包装:管件 封装/外壳:i4-Pac™-5(3 引线) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXBA10N300HV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXBH10N300HV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGH10N300

AdvanceTechnicalInformation

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXBF10N300C

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    6V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    7.2mJ(开),1.04mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    32ns/390ns

  • 测试条件:

    1500V,10A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5(3 引线)

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4

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IXYS
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更多IXBF10N300C供应商 更新时间2024-4-30 15:00:00