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IXBF20N300	文件：204.57 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features •SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •4000V~ElectricalIsolation •HighBlockingVoltage •HighPeakCurrentCapability •LowSaturationVoltage Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •Switch-Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBF20N300	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：i4-Pac™-5（3 引线）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBH20N300	文件：180.26 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●InternationalStandardPackages ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGener	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBL20N300C	文件：195.74 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage,HighFrequency,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features •SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate •IsolatedMountingSurface •4000V~ElectricalIsolation •HighBlockingVoltage •HighFrequencyOperation Advantages •LowGateDriveRequirement •HighPowerDensity Applications •Switch-ModeandResonant-ModePowerSuppl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBT20N300	文件：180.26 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●InternationalStandardPackages ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGener	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBT20N300HV	文件：206.26 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighVoltagePackage ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●Ca	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGF20N300	文件：197.03 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBF20N300
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，20A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
i4-Pac™-5（3 引线）
供应商器件封装：
ISOPLUS i4-PAC™
描述：
IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4

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