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IXBH6N170

BiMOSFET™ 高电压

• 高阻断电压\n• 高功率密度\n• 高电流处理能力\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装;

Littelfuse

力特

IXBH6N170

High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterruptible

文件:113.61 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXBH6N170

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1700V 12A 75W TO247AD

IXYS

艾赛斯

IXBT6N170

High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ● High Blocking Voltage ● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD ● Low conduction losses ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications ● AC motor speed control ● Uninterruptible

文件:113.61 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH6N170

High Voltage IGBT

文件:1.24063 Mbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH6N170A

High Voltage IGBT

文件:66.31 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXBH6N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,6A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1700V 12A 75W TO247AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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更多IXBH6N170供应商 更新时间2026-3-4 15:30:00