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IXBH6N170分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBH6N170
厂商型号

IXBH6N170

参数属性

IXBH6N170 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1700V 12A 75W TO247AD

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 1700V 12A 75W TO247AD

文件大小

113.61 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 10:06:00

IXBH6N170规格书详情

Features

● High Blocking Voltage

● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD

● Low conduction losses

● High current handling capability

● MOS Gate turn-on - drive simplicity

● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications

● AC motor speed control

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● Capacitor discharge circuits

Advantages

● High power density

● Suitable for surface mounting

● Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

IXBH6N170属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXBH6N170晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXBH6N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,6A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1700V 12A 75W TO247AD

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