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IXBT12N300	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● High Blocking Voltage ● International Standard Packages ● Anti-Parallel Diode ● Low Conduction Losses Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Density Applications: ● Switched-Mode and Resonant-Mode Power Supplies ● Uninterruptible Power Supplies (UPS) ● Laser Gen 文件：183.67 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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IXBT12N300HV	文件：300 bytes Page：1 Pages	BiMOSFET™ 超高电压 • “自由”本征体二极管\n• 高功率密度\n• 高频运行\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 4000V电气绝缘;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXBT12N300HV	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3000V 30A 160W TO268	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBT12N300
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
托盘
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，12A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 3000V 30A 160W TO268

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