| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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13年
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IRTO-220 |
9250 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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9年
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IRTO-220 |
2120 |
13+ |
绝对真实库存 百分百原装正品 |
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11年
留言
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IRTO-220 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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12年
留言
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INFINEONTO-220 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
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infineonTO-220 |
800 |
25 |
绝对原装正品 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220-3 |
8750 |
26+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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3年
留言
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英飞凌 |
5000 |
21+22+ |
库存清理底价出 |
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4年
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IRTO-220 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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16年
留言
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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13年
留言
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INFINEONTO-220 |
12000 |
25+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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6年
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INFINEONTO-220 |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
15000 |
25+ |
原装现货假一赔十 |
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IRFB4410ZPBF Digi-Key 零件编号 IRFB4410ZPBF-ND 制造商 Infineon Technologies 制造商产品编号 IRFB4410ZPBF 供应商 Infineon Technologies 描述 MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB 详细描述 通孔 N 通道 100 V 97A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
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深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
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IRFB4410ZPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFB4410功能描述:MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFB4410PBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4410ZGPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB4410ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
