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ADC150	文件：201.17 Kbytes Page：4 Pages	EvaluationKitForA/DConverters [Thaler] DESCRIPTION TheACE100isacompletesystemforevaluatingThalersADC100seriesofAnalogtoDigitalConverters.Byeliminatingbread-boardsandprototypes,evaluationanddesign-incycletimesarereduced. TheA/Dconverterthattheuserisinterestedinevaluatingmustbespecified	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ADC150	文件：131.29 Kbytes Page：9 Pages	ProgrammableIntegratingA/DConverter	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ADC150	文件：217.74 Kbytes Page：9 Pages	ProgrammableIntegratingA/DConverter	RHOPOINT Rhopoint Instruments	RHOPOINT
IRFP150N	文件：243.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP150N	文件：258.94 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP150N	文件：725.62 Kbytes Page：3 Pages	100V,60AHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP150N	文件：148.84 Kbytes Page：10 Pages	44A,100V,0.030Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.030Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP150N	文件：135.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.035W,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP150NPBF	文件：1.03047 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP150NPBF	文件：1.03047 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP150PBF	文件：1.50788 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP150PBF	文件：1.44982 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP150R	文件：67.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP150V	文件：531.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=24mΩ ID=47A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP150VPBF	文件：169.9 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=24mΩ ID=47A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS150	文件：265.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS150A	文件：265.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS150A	文件：259.79 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRN150	文件：84.86 Kbytes Page：2 Pages	50Wto500WHIGHPOWERWIREWOUNDRESISTORSFLATSHAPEDALUMINUMHOUSED	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ISCNL150D	文件：291.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRFP150MPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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