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IRFI830G	文件：170.66 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=3.1A) DESCRIPTION Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial ap 文件：170.66 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI830G	文件：979.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：979.57 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
IRFI830G	文件：910.77 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：910.77 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI830GPBF	文件：1.56994 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.56994 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI830G_V01	文件：910.77 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：910.77 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI830GPBF	文件：910.77 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：910.77 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI830G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=3.1A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI830G
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 3.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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