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IRFI620B	文件：668.58 Kbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：668.58 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFI620G	文件：1.76729 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.76729 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI620G	文件：173.31 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.1A) DESCRIPTION Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial ap 文件：173.31 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI620GPBF	文件：292.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial ap 文件：292.71 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI620GPBF	文件：1.76729 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.76729 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI620G	文件：271.41 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：271.41 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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IRFI620GPBF	文件：271.41 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：271.41 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI620B	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFI620G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.1A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI620
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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