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IRFI620G	文件：173.31 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.1A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFI620G	文件：1.76729 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI620G	文件：271.41 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI620GPBF	文件：292.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRFI620G_V01	文件：271.41 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFI620GPBF	文件：271.41 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
620	文件：375.69 Kbytes Page：3 Pages	DCaxialfans	EBMPAPST ebm-papst
620	文件：505.68 Kbytes Page：3 Pages	DCaxialfans	EBMPAPST ebm-papst
620	文件：146.94 Kbytes Page：2 Pages	LowProfile	OSCILENT Oscilent Corporation
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620	文件：240.96 Kbytes Page：6 Pages	SuperSOT??80VNPNSILICONLOWSATURATIONTRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors
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详细参数

型号：
IRFI620G
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFI620G供应商更新时间2024-4-28 16:36:00

详细参数

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