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IRFI614G	文件：1.51135 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.51135 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI614G	文件：173.14 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.1A) Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated) 文件：173.14 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI614G	文件：282.67 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：282.67 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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IRFI614GPBF	文件：292.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：292.01 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRFI614G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay
IRFI614G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.1A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI614G
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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