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SFWI9Z14	文件：278.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=-60V RDS(on)=0.5Ω ID=-6.7A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●175℃OperatingTemperature ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SiHF9Z14	文件：277.14 Kbytes Page：9 Pages	RepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14	文件：955.62 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SiHF9Z14	文件：277.86 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14L	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) •Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14L	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14S	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14S	文件：229.92 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Surface-mount(IRF9Z14S,SiHF9Z14S) •Low-profilethrough-hole(IRF9Z14L,SiHF9Z14L) •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •P-channel •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z14STL	文件：2.45358 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI9Z14G	文件：1.52458 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF9Z14STRR
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF9Z14STRRPBF	IR	22+	TO-263	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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更多IRF9Z14STRR供应商更新时间2025-5-20 14:00:00

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