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IRF6N60FP	文件：158.62 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeff	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRFIB6N60A	文件：149.09 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)max=0.75ohm,Id=5.5A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowerswitching HighVoltageIsolation=2.5KVRMS Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacteri	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB6N60A	文件：319.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFIB6N60A	文件：159.49 Kbytes Page：8 Pages	VishaySiliconix FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIB6N60APBF	文件：223.44 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB6N60APBF	文件：200.13 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
KF6N60D	文件：488.18 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=5A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF6N60P	文件：1.22673 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=600V,ID=6A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM6N60C	文件：2.23424 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB6N60	文件：659.18 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRF6N60FP
制造商：
SUNTAC
制造商全称：
SUNTAC
功能描述：
POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	IRF6S0B	IR	23+	DIP	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF6S0B	IR	23+	DIP	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF6Z30	IR	22+	TO-220	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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