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IRF710A	文件：226.65 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET (400V, 3.6ohm, 2A) FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=400V ♦LowRDS(ON):2.815Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF710A	文件：46.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •designedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconvertors,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.Thesetypescanbeoperateddirectlyfromintegratedcircuits. •FEATU	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF710B	文件：859.15 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF710PBF	文件：225.67 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF710PBF	文件：1.01954 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF710PBF	文件：159.88 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETFEATURES	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF710S	文件：168.08 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFET®PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF710S	文件：181.34 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovid	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF710S	文件：219.19 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF710SPBF	文件：1.69044 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET 400VN-ChannelMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF710A
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB

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更多IRF710A供应商更新时间2025-7-20 9:17:00

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