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IRF712	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	IRF710-713 MTP2N35/2N40 N-Channel Power MOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF712	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 2.25 A, 350-400 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF712	文件：147.35 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF712	文件：45.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF712	文件：360.17 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF712	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±12V
Maximum Drain Source Voltage：
20V
Maximum Continuous Drain Current：
3.5A
Material：
Si
Configuration：
Dual Dual Drain
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多IRF712供应商更新时间2025-7-27 16:30:00

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