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IRF720STRR	文件：372.09 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：372.09 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF720STRRPBFA	文件：255.7 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：255.7 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF720STRR	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFI720B	文件：666.68 Kbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：666.68 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI720G	文件：170.19 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.6A) Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated) 文件：170.19 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI720G	文件：1.52055 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applica 文件：1.52055 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRF720STRR
功能描述：
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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