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IRF710B	文件：859.15 Kbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：859.15 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRF710B	文件：300 bytes Page：1 Pages	400V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRF710PBF	文件：225.67 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：225.67 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF710PBF	文件：1.01954 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa 文件：1.01954 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF710PBF	文件：159.88 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES 文件：159.88 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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更多IRF710B供应商更新时间2026-1-24 23:00:00