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IRF634NSTRR	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer 文件：162.91 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF634NSTRRPBF	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer 文件：162.91 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF634PBF	文件：3.55392 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：3.55392 Mbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF634PBF	文件：1.54151 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipati 文件：1.54151 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF634PBF	文件：157.84 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：157.84 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRF634NSTRR
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF634NSTRR供应商更新时间2025-10-5 14:00:00

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