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IRF630NS	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：240.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NS	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET 文件：173.94 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
IRF630NSPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：292.16 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NSRPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630PBF	文件：2.10068 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A ) 文件：2.10068 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF630PBF	文件：1.03175 Mbytes Page：6 Pages	9A,200V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET 文件：1.03175 Mbytes 页数：6 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
IRF630S	文件：923.6 Kbytes Page：3 Pages	N-channel TrenchMOS transistor 文件：923.6 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
IRF630SPBF	文件：986.65 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A ) 文件：986.65 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

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