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IRF6100	文件：234.36 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description True chip-scale packaging is available from International Rectifier. Through the use of advanced processing tech niques, and a unique packaging concept, extremely low on-resistance and the highest power densities in the industry have been made available for battery and load manageme 文件：234.36 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6100	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6100PBF	文件：618.67 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description True chip-scale packaging is available from International Rectifier. Through the use of advanced processing techniques, and a unique packaging concept, extremely low on-resistance and the highest power densities in the industry have been made available for battery and load managemen 文件：618.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
KBCV-6100W	文件：2.42365 Mbytes Page：2 Pages	Keyboard Covers Key Features • Remains securely in place during use • Protects against liquid spills, food, oil, dampness and dirt • Flexible, transparent, durable • Easily cleaned/disinfected in place • Works with touchpad & card reader keyboards • Custom made for a perfect fit • Available for most keyb 文件：2.42365 Mbytes 页数：2 Pages	CHERRY	CHERRY
LDS6100	文件：1.09973 Mbytes Page：3 Pages	PureTouch Capacitance Touch IC Family with Integrated LED Drivers 文件：1.09973 Mbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
LT6100	文件：257.86 Kbytes Page：16 Pages	Precision, Gain Selectable High Side Current Sense Amplifier 文件：257.86 Kbytes 页数：16 Pages	LINER 凌力尔特	LINER

详细参数

型号：
IRF6100
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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