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IRF1704

Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A??

Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® power MOSFET has a 200°C max operating temperature with a Stripe Planar design that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET®

文件:102.09 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF1704

Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A⑥)

Infineon

英飞凌

ISP1704

Ultra-low-power transceiver solutions for mobile and portable applications

文件:906.44 Kbytes 页数:3 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

KTA1704

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER,HIGH FREQUENCY POWER)

AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER FEATURES • Complementary to KTC2803

文件:298.93 Kbytes 页数:3 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

LPO1704

SMT Power Inductors

文件:113.28 Kbytes 页数:2 Pages

COILCRAFT

详细参数

  • 型号:

    IRF1704

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 170A TO-220AB

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF1704供应商 更新时间2025-10-4 16:30:00