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IRF224	文件：398.88 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET TRANSISTORS 250V1.1ohmHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF224	文件：48.33 Kbytes Page：2 Pages	High Speed Applications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFD224	文件：467.81 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=1.1ohm,Id=0.63A) VDSS=250V RDS(on)=1.1Ω ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF
IRFD224	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD224	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD224PBF	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD224PBF	文件：918.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=250V,RDS(on)=1.1廓,ID=0.63A) VDSS=250V RDS(on)=1.1Ω ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF
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IRFM224B	文件：705.97 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR224	文件：175.21 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=1.1ohm,Id=3.8A)	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF224
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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