| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
2837 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
15000 |
21+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
31 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
2837 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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50 |
13+ |
TO-220-3 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
19126 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
168 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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INFINEON原封装 |
9960 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市乐峰达科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
22+ |
原厂原装,实单加微信 |
IRF2805采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF2805图片
IRF2805PBF价格
IRF2805PBF价格：￥5.3507品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF2805PBF多少钱，想知道IRF2805PBF价格是多少？参考价：￥5.3507。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF2805PBF批发价格及采购报价，IRF2805PBF销售排行榜及行情走势，IRF2805PBF报价。
IRF2805PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF2805制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2805PBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2805S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805SPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2805STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF2805STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
