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深圳市煦洪科技有限公司

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IRF2805PBF

Infineon/英飞凌原厂封装

10280

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原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力!

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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IRF2805SPBF

IRN/A

70000

2025+

柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市振芯物联科技有限公司

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IRF2805PBF

IRTO-220

6000

26+

原装现货假一赔十

深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货

2510000

15+

TO-263

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)D2PAK

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市中远芯科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

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原装现货

深圳市赛尔通科技有限公司

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IRTO-220

65400

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深圳市联世界科技有限公司

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INFINEON/IR

50

13+

TO-220-3

深圳市创新迹电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

9000

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市昊创电子有限公司

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IRTO-263

9450

2021+

原装现货。

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)D2PAK

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市高捷芯城科技有限公司

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IR(国际整流器)

10548

26+

原厂订货渠道,支持账期,一站式服务!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)D2PAK

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市芯皇电子有限公司

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IR23+

6000

26+

专业配单原装正品假一罚十

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRTO-263

12500

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全新原装现货,假一赔十

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IRD2-PAK

9450

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原装正品,实单请联系

深圳市威雅利发展有限公司

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IRTO-220铁头

10

21+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRTO-220

35890

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市明嘉莱科技有限公司

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ORIGINALTO-220

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市一线半导体有限公司

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IRTO-220AB

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IRF2805制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET

IRF2805L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET

IRF2805LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF2805PBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF2805S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET

IRF2805SPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF2805STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF2805STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件