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IRF2805S	文件：224.32 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and im 文件：224.32 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2805S	文件：263.18 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF2805SPBF	文件：306.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and im 文件：306.04 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2805SPBF	文件：337.26 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：337.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2805SPBF	文件：337.26 Kbytes Page：11 Pages	Industrial Motor Drive 文件：337.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2805SPBF_15	文件：337.26 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：337.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2805STRLPBF	文件：337.26 Kbytes Page：11 Pages	Industrial Motor Drive 文件：337.26 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2805S	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 55V 单 N 通道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
D2PAK (TO-263)
VDS max：
55.0V
RDS (on)(@10V) max：
4.7mΩ
RDS (on) max：
4.7mΩ
Polarity ：
N
ID max：
96.0A
ID (@ TC=100°C) max：
96.0A
ID (@ TC=25°C) max：
135.0A
Ptot max：
200.0W
QG ：
150.0nC
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
52.0nC
Tj max：
175.0°C
RthJC max：
0.75K/W
VGS max：
20.0V

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更多IRF2805S供应商更新时间2025-12-24 9:05:00

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