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IRF245	文件：70.67 Kbytes Page：7 Pages	14A and 13A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF245	文件：48.33 Kbytes Page：2 Pages	Static Drain-Source On-Resistance DESCRIPTION •DrainCurrentID=13A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max) APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •Switchingconverters,motordriver,relaydriver •Audioamplifierandservomotors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP245	文件：68.75 Kbytes Page：7 Pages	15Aand14A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP245	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCNH245W	文件：421.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IT245	文件：126.5 Kbytes Page：4 Pages	PulseTransformerwithSingleSecondaryWinding	SCHAFFNERSchaffner International Ltd 夏弗纳	SCHAFFNER
J245B	文件：42.25 Kbytes Page：1 Pages	T-1,(3-mm)Round,QuadPCBMountLEDIndicator	idea IDEA.lnc.	idea
KABS245	文件：734.24 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE2.0AMPSURFACEMOUNTBRIDGERECTIFIER Features SchottkyBrrierChip LowPowerLoss,HighEfficiency IdeallySuitedforAutomaticAssembly SurgeOverloadRatingtoPeak PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
KDV245	文件：386 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(VCOFORUHFBANDRADIO) VCOFORUHFBandRadio. FEATURES ●HighCapacitanceRatio:C0.5V/C2.5V=2.5(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=0.35(Typ.) ●UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV245E	文件：383.62 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(VCOFORUHFBANDRADIO) VCOFORUHFBandRadio. FEATURES ●HighCapacitanceRatio:C0.5V/C2.5V=2.5(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=0.35(Typ.) ●UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
IRF245
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
International Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF245	Infineon(英飞凌)	24+	TO-204	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRF245	IR	24+	TO-3	10000		询价
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天津市博通航睿技术有限公司	IRF245	IR	23+	TO-3	7000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRF246	IR	专业铁帽	TO-3	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
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更多IRF245供应商更新时间2025-7-21 16:12:00

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