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IRF2807ZS	文件：272.67 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：272.67 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZS	文件：4.64052 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：4.64052 Mbytes 页数：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF2807ZS	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology 文件：279.61 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZS	文件：189.76 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF2807ZSPBF	文件：279.79 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A) Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features comb 文件：279.79 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZSPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：405.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZSTRL	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology 文件：279.61 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZSTRLPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：405.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZSTRRPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：405.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2807ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	75V 单个 n 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF2807ZSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
9.4 mΩ
ID @25°C max：
89 A
QG typ @10V：
71 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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