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IRF2807ZS	文件：272.67 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZS	文件：4.64052 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF2807ZS	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZS	文件：189.76 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2807ZSPBF	文件：279.79 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET (75V, 94mOHM, 75A) Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescomb	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZSPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZSTRL	文件：279.61 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2807ZSTRRPBF	文件：405.08 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRS2807DS	文件：2.4731 Mbytes Page：26 Pages	600-VHigh-andLow-SideDriverwithBootstrapDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
KA2807	文件：168.51 Kbytes Page：8 Pages	EarthLeakageDetector Description TheKA2807isaICforgroundfaultcircuitinterrupterswhichareintendedtoprovideanelectricalshockhazardprotectionfromlinetogroundfaultcurrentsongroundedcircuitsof120Vsupplies. Features •FullAdvantageoftheUL943 •Built-InVoltageRegulator •SenseCoil:	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
IRF2807ZS
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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