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IRF2807ZS规格书详情
描述 Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
特性 Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
产品属性
- 型号：
IRF2807ZS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TO-263-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
询价 | |||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
2447 |
D2-PAK |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR(国际整流器) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
TO-263 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
NA |
6400 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 |
