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IRF2805LPBF	文件：306.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and im 文件：306.04 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRF2805PBF	文件：162.53 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and imp 文件：162.53 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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IRF2805S	文件：224.32 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and im 文件：224.32 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF2805LPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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