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IRF2907ZS	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET VDSS = 75V RDS(on) = 4.5mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction op 文件：361.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2907ZS	文件：364 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：364 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2907ZS	文件：244.43 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF2907ZSPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 75V RDS(on) = 4.5mΩ ID = 160A Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improve 文件：785.48 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF2907ZS-7PPBF	文件：673.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：673.47 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2907ZS-7PPBF	文件：664.16 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：664.16 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF2907ZS-7PPBF	文件：300.68 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：300.68 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF2907ZS-7PPBF	文件：300.68 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：300.68 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF2907ZS-7PPBF_06	文件：673.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：673.47 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2907ZS-7PPBF_15	文件：300.68 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：300.68 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF2907ZSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
4.5 mΩ
ID @25°C max：
170 A
QG typ @10V：
180 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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