IRF3007规格书供应价格无锡固电IRF-114ic电子网

首页 >IRF3007>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRF3007	文件：149.46 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, 文件：149.46 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF3007	文件：338.69 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3007	文件：300 bytes Page：1 Pages	75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF3007L	文件：252.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, 文件：252.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3007LPBF	文件：252.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, 文件：252.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3007S	文件：252.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, 文件：252.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3007SPBF	文件：252.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, 文件：252.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3007L	文件：300.29 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3007PBF	文件：215.71 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：215.71 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF3007PBF	文件：267.97 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：267.97 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
75.0V
RDS (on) max：
12.6mΩ
RDS (on)(@10V) max：
12.6mΩ
Polarity ：
N
ID max：
56.0A
ID (@ TC=100°C) max：
56.0A
ID (@ TC=25°C) max：
80.0A
Ptot max：
200.0W
QG ：
89.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
30.0nC
RthJC max：
0.74K/W
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRF3007	IR	25+	TO220	20300	IR原装特价IRF3007即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	IRF3007	IR	13+	TO-220	26258	原装分销	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRF3007	IR	24+	TO-220AB	8866		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRF3007	IR	2015+	TO-220AB	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRF3007	IR	23+	TO-220	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	IRF3007	IR	18+	TO-220	41200	原装正品,现货特价	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF3007	IR	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRF3007	IR	21+	TO-220	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF3007	IR	2022+	TO-220AB	12888	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市胜彬电子有限公司	IRF3007	IR	22+	TO220	8000	原装正品支持实单	询价

更多IRF3007供应商更新时间2025-10-10 17:40:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号