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IRF2807S	文件：134.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：134.58 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF2807S	文件：269.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：269.4 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF2807S	文件：1.07275 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description Advanced MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the de 文件：1.07275 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF2807S	文件：189.1 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF2807S	文件：133.54 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：133.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2807SPBF	文件：269.4 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：269.4 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF2807SPBF	文件：4.24691 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：4.24691 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF2807SPBF_15	文件：278.55 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：278.55 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2807STRLPBF	文件：133.54 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：133.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF2807S	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• RoHS Compliant\n• Low RDS(on)\n• Industry-leading quality\n• Dynamic dv/dt Rating\n• Fast Switching\n• Fully Avalanche Rated\n• 175°C Operating Temperature;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF2807STRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
13 mΩ
ID @25°C max：
82 A
QG typ @10V：
106.7 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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