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IRF252	文件：215.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRds(on) •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highvoltage)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
IRF252	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IRF252	文件：136.22 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNE POWER MOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
IRF252	文件：137.76 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
IRF252	文件：48.25 Kbytes Page：2 Pages	Nanosecond Switching Speed DESCRIPTION •DrainCurrentID=25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage:VDSS=200V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.12Ω(Max) •NanosecondSwitchingSpeed APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •Switchingconverters,motordriver,relaydriver	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
252	文件：618.31 Kbytes Page：2 Pages	TwoAxis,MinistickControllerWithOptionalMomentarySwitch	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
252H	文件：287.37 Kbytes Page：4 Pages	Compactfanwithlowpowerconsumption	EBMPAPST ebm-papst
252H	文件：394.66 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst
252H	文件：394.65 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst
252MI-XXLF	文件：115.15 Kbytes Page：10 Pages	FIELDPROGRAMMABLEDUALOUTPUTSSVERSACLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
252MI-XXLFT	文件：115.15 Kbytes Page：10 Pages	FIELDPROGRAMMABLEDUALOUTPUTSSVERSACLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
252M-XXLF	文件：115.15 Kbytes Page：10 Pages	FIELDPROGRAMMABLEDUALOUTPUTSSVERSACLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
252M-XXLFT	文件：115.15 Kbytes Page：10 Pages	FIELDPROGRAMMABLEDUALOUTPUTSSVERSACLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
252N	文件：394.65 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst
252N	文件：282.91 Kbytes Page：3 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst
252N	文件：394.66 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst
252PMILF	文件：115.15 Kbytes Page：10 Pages	FIELDPROGRAMMABLEDUALOUTPUTSSVERSACLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
252PMLF	文件：115.15 Kbytes Page：10 Pages	FIELDPROGRAMMABLEDUALOUTPUTSSVERSACLOCKSYNTHESIZER	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
252X	文件：72.11 Kbytes Page：1 Pages	WILMAR??ProtectiveRelays-250Series,Over/Undervoltage	MACOM Tyco Electronics
ADuM252N	文件：554.02 Kbytes Page：22 Pages	Highcommon-modetransientimmunity:100kV/關s	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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详细参数

型号：
IRF252
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
N-CHANNEL POWER MOSFETS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF252供应商更新时间2024-4-28 10:48:00

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