IRFD224中文资料威世科技数据手册PDF规格书
IRFD224规格书详情
VDS (V) 250
RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 1.1
Qg (Max.) (nC) 14
Qgs (nC) 2.7
Qgd (nC) 7.8
Configuration Single
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 pin centers. The dual drain serveres as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.
FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• For Automatic Insertion
• End Stackable
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• Lead (Pb)-free
产品属性
- 型号：
IRFD224
- 功能描述：
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
920 |
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询价 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
HVMDIP4 |
7350 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
DIP-4 |
80000 |
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IR |
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DIP4 |
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IR |
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DIP-4 |
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IR |
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DIP4 |
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IR |
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DIP4 |
8000 |
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IOR |
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DIP-4P |
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INTERNATIONA |
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原厂原装 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
DIP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
